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Sonntag, 25. August 2019

Börse

BUSINESS WIRE: Transphorm-Webinar: Verständnis der Qualität und Zuverlässigkeit von Hochspannungs-GaN-FETs in Energieanwendungen

19.07.2019, 00:05 Uhr

MITTEILUNG UEBERMITTELT VON BUSINESS WIRE. FUER DEN INHALT IST ALLEIN DAS BERICHTENDE UNTERNEHMEN VERANTWORTLICH.

GOLETA, Kalifornien --(BUSINESS WIRE)-- 18.07.2019 --

Transphorm:

WAS:

Kostenloses Live-Webinar

 

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"Verständnis der Qualität und Zuverlässigkeit von Hochspannungs-GAN-FETs in Energieanwendungen"

 

 

WANN:

25. Juli 2019 um 14.00 Uhr. EDT (11.00 Uhr PDT / 20.00 Uhr MESZ)

 

LÄNGE:

1 Stunde, inklusive Frage- und Antwortrunde

 

 

WER:

Ron Barr, stellvertretender Leiter für Qualität + Verlässlichkeit, Transphorm

 

Philip Zuk, stellvertretender Leiter für technisches Marketing weltweit und NA-Vertrieb, Transphorm

 

 

WARUM:

Immer mehr Energieanwendungen verwenden Hochspannungs-GaN-Transistoren, um die Leistungsdichte zu erhöhen sowie die Systemgröße und Kosten zu reduzieren. GaN-FETs sind für viele Ingenieure jedoch noch recht neu. Dies kann zu allgemeinen Wissenslücken und zum Austausch von Fehlinformationen führen. Wichtig: Da GaN-Geräte nicht die gleiche Leistung wie Silizium-Geräte erbringen, unterscheidet sich ihr Validierungstest von dem, was heute allgemein unter Tests zu Qualität und Verlässlichkeit (Quality + Reliability, Q+R) verstanden wird. Es ist notwendig, diese Unterschiede zu verstehen, um genau zu bestimmen, welche GaN-FETs verwendet werden sollen; geeignete Designkonfigurationen; und die Lebensdauer des Produkts-der Faktor, der von den Produktherstellern zur Bewertung von Gewährleistungsrisiken verwendet wird.

KERNPUNKTE:

  • Einführung in die 650-V- und 900-V-Produktlinien von Transphorm, Differenzierung der GaN-Plattform und Vorteile, die durch Kundenendprodukte in der Produktion gezeigt werden.
  • Erläuterung der Validierungstests zur Bestimmung von Q+R mit Begründung.
  • Erläuterung, wie diese Tests durchgeführt werden, um die Genauigkeit der Ergebnisse zu gewährleisten.
  • Q+R-Benchmark-Ergebnisse basierend auf der JEDEC-Qualifikation von Transphorm, erweiterten JEDEC-und AEC-Q101-Qualifikationstests.
  • Ein unverzichtbarer Leitfaden für GaN Q+R für die zukünftige Transistorauswahl.

WER TEILNEHMEN SOLLTE: Inhalte geeignet für Ingenieure, die GaN-basierte Energiesysteme erforschen oder entwickeln und Entscheidungsträger, die innovative Endprodukte wie Adapter, Kfz-Ladegeräte und Stromversorgungssysteme, Industrie-Netzgeräte, PC-Gaming-Netzgeräte, Dreiphasen-Netzgeräte usw. entwickeln.

ANMELDUNG: Klicken Sie hier, um sich zu registrieren oder besuchen Sie https://www.globalspec.com/events/eventdetails?eventId=2564.

Willkommen bei der GaN-Revolution!

Transphorm konstruiert und fertigt 650-V- und 900-V-GaN-Halbleiter mit höchster Leistung und Zuverlässigkeit für Stromwandlungsanwendungen mit Hochspannung. Transphorm verfügt über das größte IP-Portfolio (mehr als 1000 erteilte und angemeldete Patente weltweit) und produziert die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101- qualifizierten GaN-FETs. Dies beruht auf dem vertikal integrierten Geschäftsansatz, der Innovationen in jeder Phase der Entwicklung zulässt: Konstruktion, Herstellung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Transphorm: Leistungselektronik, die über die Begrenzungen von Silicium hinausgeht. Website: transphormusa.com Twitter: @transphormusa

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.

Heather Ailara
211 Communications
P: +1.973.567.6040
heather@211comms.com

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