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Freitag, 23. August 2019

Börse

BUSINESS WIRE: Transphorm liefert über eine Viertelmillion GaN-Leistungsgeräte aus und bestätigt erneut die Skalierbarkeit hoher Volumina

14.12.2018, 03:36 Uhr

MITTEILUNG UEBERMITTELT VON BUSINESS WIRE. FUER DEN INHALT IST ALLEIN DAS BERICHTENDE UNTERNEHMEN VERANTWORTLICH.

Meilenstein markiert die Beschleunigung der Akzeptanz von Hochspannungs-Galliumnitrid-Halbleitern, ein Trend, der durch die veröffentlichte Marktbeteiligung der wichtigsten Branchenführer unterstrichen wird

GOLETA, Kalifornien --(BUSINESS WIRE)-- 14.12.2018 --

Transphorm Inc., der Marktführer bei der Entwicklung und Herstellung von hochzuverlässigen und ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten 650-V-Galliumnitrid-(GaN)-Halbleitern, gab bekannt, dass er mehr als 250.000 Hochspannungs-GaN-FETs ausgeliefert hat. Die von Kunden in der Massenproduktion eingesetzten Geräte werden von dem Unternehmen in seiner Wafergießerei in Aizu, Japan, hergestellt.

Transphorm erklärte auch, dass die jährliche installierte Kapazität der Wafergießerei von 15 Millionen Teilen des beliebten 50-Mohm-Produktäquivalents leicht skalierbar ist, um das 2- bis 5-fache des Volumens zu erreichen. Und wenn die Nachfrage es rechtfertigt, können die Technologie und der Herstellungsprozess so strukturiert werden, dass sie von den aktuellen 6-Zoll- bis 8-Zoll- oder potenziell höheren Wafern skalierbar sind.

"2018 war ein wegweisendes Jahr für Hochspannungs-GaN", so Primit Parikh, Mitbegründer und COO von Transphorm. "Mehr als 250.000 650 V GaN-FETs von Transphorm werden in der Massenproduktion unserer Kunden, in Hochleistungsstromrichtern und Wechselrichtern eingesetzt. Diese Produkte sind über verschiedene Kanäle erhältlich. Sogar Amazon. Mit unseren bisherigen Produktionsvolumina können wir konservativ mehr als 1,3 Milliarden Stunden Betriebszeit beim Kunden mit einer FIT-Rate im niedrigen einstelligen Bereich sowie über eine Milliarde Stunden mittlere Zeit vor dem ersten Ausfall (Mean Time Before Failure) bei Betriebsbedingungen aus einer umfangreichen Palette von Betriebs- und beschleunigten Zuverlässigkeitstests schätzen."

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Transphorm ist der erste Hochspannungs-GaN-FET-Anbieter, der Ausfalldaten bei Kunden von ausgelieferten Geräten veröffentlicht. Aus diesen Daten wird die Ausfallrate in Teile pro Million (ppm; parts per million) und Ausfall in der Zeit (FIT; Anzahl der Ausfälle in einem bestimmten Zeitraum) berechnet, was die Zuverlässigkeit der Technologie zeigt. Die Verfügbarkeit von Kundendaten ist eine wichtige neue Phase für Hochspannungs-GaN in Energiesystemen, da sie auf eine ausgereifte Technologie hinweist.

Die vom Markt vorgeschlagene Entwicklung ist nach wie vor positiv. Das Marktforschungs- und Strategieberatungsunternehmen Yole Développement (Yole) berichtet, dass der Strom-GaN-Markt in einem aggressiven Szenario bis 2023 408 Millionen Dollar erreichen wird, mit einer 91-prozentigen CAGR.1 Zu den Hochspannungsanwendungen, die dieses Wachstum vorantreiben sollen, gehören Schnellladegeräte, Rechenzentren und andere High-End-Netzteile.

Zur Unterstützung dieser Forschung durchlaufen die produzierenden Kunden von Transphorm die von Yole referenzierten Wachstumssegmente und andere, einschließlich: PC-Gaming-Netzteile [CORSAIR]; Servernetzgeräte [Bel Power, Delta]; Servoantriebe [Yaskawa]; Tragbare Geräte [Inergy/Telcodium]. Insbesondere 2018 wurden mit den Plänen von Nexperia, 600 V+ GaN-FETs auf den Markt zu bringen und der Einführung des 600-V-Portfolios von Infineon große Fortschritte bei der Kommerzialisierung von GaN erzielt.

"Die entscheidenden Bezugspunkte für die Marktakzeptanz einer neuen Technologie sind die Akzeptanz bei führenden Kunden in wichtigen Marktsegmenten und die Entstehung mehrerer starker Anbieter, die in der Lage sind, die daraus resultierenden Rampen mit hohem Volumen zu unterstützen", so Mario Rivas, CEO von Transphorm. "Obwohl wir sehr zufrieden sind mit dem, was Transphorm in Partnerschaft mit unseren Kunden erreicht hat, sind wir umso mehr begeistert, dass Hochspannungs-Leistungshalbleiter wie Nexperia und Infineon an der GaN-Revolution teilnehmen. Die Kunden können nun die Vorteile von energiesparendem GaN mit erhöhtem Vertrauen in ihre Lieferanten nutzen."

Ein Überblick über die Methodik von Transphorm zur Beurteilung von Frühphasenversagen ist in dem folgenden Artikel enthalten: High Voltage GaN Switch Reliability. Das GaN-Produktportfolio finden Sie hier: https://www.transphormusa.com/en/products/.

Über Transphorm

Transphorm fertigt Leistungselektronik, die die Grenzen des Siliziums überwindet. Das Unternehmen konstruiert, fertigt und verkauft GaN-Halbleiter mit höchster Leistung und Zuverlässigkeit für Hochspannungsstromanwendungen. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios (über 1.000 erteilte Patente und anhängige Patente weltweit) ist Transphorm das einzige Unternehmen der Branche, das JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierte GaN-FETs produziert. Dies beruht auf dem vertikal integrierten Geschäftsansatz, der Innovationen in jeder Phase der Entwicklung zulässt: Design und Herstellung von Materialien und Geräten, Fertigung, Verpackung, Referenzschaltungs-Designs und Anwendungsunterstützung. Website: transphormusa.com Twitter: @transphormusa

1 Power GaN 2018: Epitaxy, Devices, Applications and Technology Trends report, Yole Développement, 2018

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.

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